东方科技论坛——第12期青年学者论坛

9月29日,国庆放假前的周六,参加了这次会议。

这个会议主题是电子的非平衡态及应用,因为今年所长发了一篇Science,“Imaging of nonlocal hot-electron energy dissipation via shot noise”(DOI: 10.1126/science.aam9991)。

我有几个疑问:

  1. 观察到的现象是否和材料有关,是否只能在GaAs纳米线中观察到
  2. 接触式和非接触式,测量的电子或晶格温度的区别,近场辐射 or 远场辐射,如何测量和分辨
  3. 电子噪声什么时候是噪声,什么时候是表征电子所带有信息的信号
  4. 半导体中电声子耦合的强度,电子温度高,是否意味这晶格温度高,会造成晶体结构的破坏,如果是,那么电子和晶格的温度有什么解析式;如果不会造成晶体结构破坏,电子温度高并没有什么影响
  5. 电场最强的位置,能量耗散的位置,不一致?

一些感想:

  1. 那篇Science的重点应该是SNoiM的搭建和测试
    实际上,很多都是非平衡态的应用,最简单的PN结,偏压(电注入)、光注入等,但是偏压、光照稳定时,系统是稳定的
  2. 热电子辅助的量子阱探测器吸收增强,和夏丰年2018 NatMat 很像,有势垒,有激发的热电子刚好够越过势垒,在偏压下形成电流,光电导模式。
  3. photogating 是不是噱头? 只是光电导模式的一种,电子或空穴中的一种被缺陷捕获,造成光生载流子中的一种寿命极短,沟道中主要由另一种载流子做贡献,载流子非对称。
  4. 根据转移特性曲线(Id_Vg)选择合适的静态工作点,是一种非常工程化的思维方式,很有效。

新的疑问:

  1. 热电效应,和温差电动势有关的究竟是晶格温度还是电子温度,如果电声子耦合弱,电子的温度梯度应该怎么描述,还是传统的seebeck系数??
  2. 光电导、光伏模式究竟用那个比较好,还是都用,对器件结构设计有什么影响

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