月度归档：2018年10月

FTIR使用总结

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先注意测试波段，选择合适的红外窗口。

MCT（碲镉汞）探测器，加液氮

MIR 分束器选择KBr

机器前部下方，三个螺丝+一个旋钮可以打开机器顶盖。

开电源，开微机，左上方四个等闪烁后全亮，机器需要预热10min。

微机上对应软件，OMNIC。

点击Experiment setup，选择探测器MCT/A，collect→final→%reflectance→bench→parameter→sample compartment→left μscope %R

先测有结构的信号，再测只有背面金属的部分作为背景。两次都要用signal collect

数据处理前先保存，信号-背景，得到实际需要的数据。process-reprocess-%reflectance-browse ，再保存

开机前通N2，关机后调整N2阀刚好高于0，保证机器内部N2正压。

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东方科技论坛——第12期青年学者论坛

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9月29日，国庆放假前的周六，参加了这次会议。

这个会议主题是电子的非平衡态及应用，因为今年所长发了一篇Science，“Imaging of nonlocal hot-electron energy dissipation via shot noise”（DOI: 10.1126/science.aam9991）。

我有几个疑问：

  1. 观察到的现象是否和材料有关，是否只能在GaAs纳米线中观察到
  2. 接触式和非接触式，测量的电子或晶格温度的区别，近场辐射 or 远场辐射，如何测量和分辨
  3. 电子噪声什么时候是噪声，什么时候是表征电子所带有信息的信号
  4. 半导体中电声子耦合的强度，电子温度高，是否意味这晶格温度高，会造成晶体结构的破坏，如果是，那么电子和晶格的温度有什么解析式；如果不会造成晶体结构破坏，电子温度高并没有什么影响
  5. 电场最强的位置，能量耗散的位置，不一致？

一些感想：

  1. 那篇Science的重点应该是SNoiM的搭建和测试
    实际上，很多都是非平衡态的应用，最简单的PN结，偏压（电注入）、光注入等，但是偏压、光照稳定时，系统是稳定的
  2. 热电子辅助的量子阱探测器吸收增强，和夏丰年2018 NatMat 很像，有势垒，有激发的热电子刚好够越过势垒，在偏压下形成电流，光电导模式。
  3. photogating 是不是噱头？ 只是光电导模式的一种，电子或空穴中的一种被缺陷捕获，造成光生载流子中的一种寿命极短，沟道中主要由另一种载流子做贡献，载流子非对称。
  4. 根据转移特性曲线（Id_Vg）选择合适的静态工作点，是一种非常工程化的思维方式，很有效。

新的疑问：

  1. 热电效应，和温差电动势有关的究竟是晶格温度还是电子温度，如果电声子耦合弱，电子的温度梯度应该怎么描述，还是传统的seebeck系数？？
  2. 光电导、光伏模式究竟用那个比较好，还是都用，对器件结构设计有什么影响
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