东方科技论坛——第12期青年学者论坛
9月29日，国庆放假前的周六，参加了这次会议。
这个会议主题是电子的非平衡态及应用，因为今年所长发了一篇Science，“Imaging of nonlocal hot-electron energy dissipation via shot noise”（DOI: 10.1126/science.aam9991）。
我有几个疑问：
- 观察到的现象是否和材料有关，是否只能在GaAs纳米线中观察到
- 接触式和非接触式，测量的电子或晶格温度的区别，近场辐射 or 远场辐射，如何测量和分辨
- 电子噪声什么时候是噪声，什么时候是表征电子所带有信息的信号
- 半导体中电声子耦合的强度，电子温度高，是否意味这晶格温度高，会造成晶体结构的破坏，如果是，那么电子和晶格的温度有什么解析式；如果不会造成晶体结构破坏，电子温度高并没有什么影响
- 电场最强的位置，能量耗散的位置，不一致？
一些感想：
- 那篇Science的重点应该是SNoiM的搭建和测试
实际上，很多都是非平衡态的应用，最简单的PN结，偏压（电注入）、光注入等，但是偏压、光照稳定时，系统是稳定的 - 热电子辅助的量子阱探测器吸收增强，和夏丰年2018 NatMat 很像，有势垒，有激发的热电子刚好够越过势垒，在偏压下形成电流，光电导模式。
- photogating 是不是噱头？ 只是光电导模式的一种，电子或空穴中的一种被缺陷捕获，造成光生载流子中的一种寿命极短，沟道中主要由另一种载流子做贡献，载流子非对称。
- 根据转移特性曲线（Id_Vg）选择合适的静态工作点，是一种非常工程化的思维方式，很有效。
新的疑问：
- 热电效应，和温差电动势有关的究竟是晶格温度还是电子温度，如果电声子耦合弱，电子的温度梯度应该怎么描述，还是传统的seebeck系数？？
- 光电导、光伏模式究竟用那个比较好，还是都用，对器件结构设计有什么影响
